- Jess***Jones
- 17.04.2026
lomakkeissa
2N6107,09,11,2N6288,90,92.pdf2N6290 -teknologiavaatimukset
Central Semiconductor - 2N6290 Tekniset eritelmät, ominaisuudet, parametrit ja osat, joilla on samanlaiset eritelmät kuin Central Semiconductor - 2N6290
| Tuoteominaisuus | Attribuuttiarvo | |
|---|---|---|
| Valmistaja | Central Semiconductor | |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V | |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3.5V @ 3A, 7A | |
| transistori tyyppi | NPN | |
| Toimittaja Device Package | TO-220 | |
| Sarja | - | |
| Virta - Max | 40W | |
| Pakkaus | Bulk | |
| Pakkaus / Case | TO-220-3 | |
| Muut nimet | 2N6290 LEAD FREE 2N6290 PBFREE |
| Tuoteominaisuus | Attribuuttiarvo | |
|---|---|---|
| Käyttölämpötila | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
| Asennustyyppi | Through Hole | |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Valmistajan toimitusaika | 18 Weeks | |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | Lead free / RoHS Compliant | |
| Taajuus - Siirtyminen | 4MHz | |
| Yksityiskohtainen kuvaus | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 7A 4MHz 40W Through Hole TO-220 | |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 2.5A, 4V | |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 1mA | |
| Nykyinen - Collector (le) (Max) | 7A |
| MääRITE | KUVAUS |
|---|---|
| RoHs-tila | Lyijytön / RoHS -yhteensopiva |
Kolmella oikealla olevalla osalla on samanlaiset eritelmät kuin Central Semiconductor 2N6290.
| Tuoteominaisuus | ![]() |
![]() |
||
|---|---|---|---|---|
| Osa numero | 2N6290 PBFREE | 2N6292 | 2N6292 | 2N6295 |
| Valmistaja | Central Semiconductor Corp | NTE Electronics, Inc | onsemi | Microchip Technology |
| Toimittaja Device Package | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Sarja | - | - | - | - |
| DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - | - | - | - |
| Lyijytön tila / RoHS-tila | - | - | - | - |
| Kosteuden herkkyys (MSL) | - | - | - | - |
| Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max) | - | - | - | - |
| Valmistajan toimitusaika | - | - | - | - |
| Nykyinen - Collector (le) (Max) | - | - | - | - |
| transistori tyyppi | - | - | - | - |
| Virta - Max | - | - | - | - |
| Pakkaus | - | - | - | - |
| Taajuus - Siirtyminen | - | - | - | - |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | - | - | - | - |
| Yksityiskohtainen kuvaus | - | - | - | - |
| Käyttölämpötila | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Pakkaus / Case | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Asennustyyppi | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - | - | - | - |
| Muut nimet | - | - | - | - |
Lataa 2N6290 PDF -lehdet ja Central Semiconductor -dokumentaatio 2N6290 - Central Semiconductor: lle.
2N6294Microchip TechnologyPOWER BJT
2N6285Microchip TechnologyPOWER BJT
2N6295Microchip TechnologyTRANS NPN DARL 80V 500UA TO66
2N6287Microchip TechnologyTRANS PNP DARL 100V 20A TO204AA
2N6293Harris CorporationTRANS NPN 80V 7A TO220
2N6286Microchip TechnologyTRANS PNP DARL 80V 20A TO204AA
2N6287NTE Electronics, IncTRANS PNP DARL 100V 20A TO3
2N6294NTE Electronics, IncTRANS NPN DARL 60V 4A TO66
2N6292Harris CorporationPower Bipolar Transistor, 7A, 70
2N6292NTE Electronics, IncTRANS NPN 70V 7A TO220Sähköpostiosoitettasi ei julkaista.
| Yleismaiden logistisen ajan viite | ||
|---|---|---|
| Alue | Maa | Logistinen aika (päivä) |
| Amerikka | Yhdysvallat | 5 |
| Brasilia | 7 | |
| Eurooppa | Saksa | 5 |
| Yhdistynyt kuningaskunta | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oseania | Australia | 6 |
| Uusi -Seelanti | 5 | |
| Aasia | Intia | 4 |
| Japani | 4 | |
| Lähi -itä | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -lähetysmaksut Viite | |
|---|---|
| Lähetysmaksut (kg) | Viite DHL (USD $) |
| 0,00 kg-1.00 kg | 30,00 dollaria - USD 60,00 dollaria |
| 1,00 kg-2,00 kg | USD 40,00 dollaria - 80,00 dollaria USD |
| 2,00 kg-3,00 kg | USD 50,00 dollaria - USD 100,00 dollaria |
Haluatko paremman hinnan? Lisää CART ja lähettämään RFQ nyt, otamme sinuun heti yhteyttä.