Tietotarvikkeet
FDS3670.pdfFDS3670 -teknologiavaatimukset
onsemi - FDS3670 Tekniset eritelmät, ominaisuudet, parametrit ja osat, joilla on samanlaiset eritelmät kuin onsemi - FDS3670
| Tuoteominaisuus | Attribuuttiarvo | |
|---|---|---|
| Valmistaja | onsemi | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Toimittaja Device Package | 8-SOIC | |
| Sarja | PowerTrench® | |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 6.3A, 10V | |
| Tehonkulutus (Max) | 2.5W (Ta) | |
| Pakkaus / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Paketti | Tape & Reel (TR) |
| Tuoteominaisuus | Attribuuttiarvo | |
|---|---|---|
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Asennustyyppi | Surface Mount | |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 2490 pF @ 50 V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| FET tyyppi | N-Channel | |
| FET Ominaisuus | - | |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 100 V | |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 6.3A (Ta) | |
| Perustuotteenumero | FDS36 |
| MääRITE | KUVAUS |
|---|---|
| Kosteuden herkkyystaso (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Saavuttaa tila | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Kolmella oikealla olevalla osalla on samanlaiset eritelmät kuin onsemi FDS3670.
| Tuoteominaisuus |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| Osa numero | FDS3670 | FDS3672 | FDS3672 | FDS3612 |
| Valmistaja | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| Sarja | - | - | - | - |
| Vgs (Max) | - | - | - | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
| Valua lähde jännite (Vdss) | - | - | - | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | - | - | - | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| FET Ominaisuus | - | - | - | - |
| Toimittaja Device Package | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Pakkaus / Case | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Asennustyyppi | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
| Käyttölämpötila | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| FET tyyppi | - | - | - | - |
| teknologia | - | - | - | - |
| Paketti | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| Perustuotteenumero | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| Tehonkulutus (Max) | - | - | - | - |
Lataa FDS3670 PDF -lehdet ja onsemi -dokumentaatio FDS3670 - onsemi: lle.
FDS3672onsemiMOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
FDS3601-NLVBSEMIFDS3612-NLFairchild (onsemi)FDS3672-NLFairchild (onsemi)
FDS3672_NLAMI Semiconductor/onsemiFDS3612 MOSAMI Semiconductor/onsemiFDS3612Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOICFDS3601NVBSEMIFDS3601 MOSFairchild (onsemi)FDS3672Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7FDS3670Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 6.3A 8SOICFDS3670_NLFairchild (onsemi)FDS3601_NLFairchild (onsemi)FDS3672 MOSFairchild (onsemi)FDS3670 MOSFairchild (onsemi)FDS3612onsemiMOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOICFDS3601Fairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDS3672_NL MOSFairchild (onsemi)Sähköpostiosoitettasi ei julkaista.
| Yleismaiden logistisen ajan viite | ||
|---|---|---|
| Alue | Maa | Logistinen aika (päivä) |
| Amerikka | Yhdysvallat | 5 |
| Brasilia | 7 | |
| Eurooppa | Saksa | 5 |
| Yhdistynyt kuningaskunta | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oseania | Australia | 6 |
| Uusi -Seelanti | 5 | |
| Aasia | Intia | 4 |
| Japani | 4 | |
| Lähi -itä | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -lähetysmaksut Viite | |
|---|---|
| Lähetysmaksut (kg) | Viite DHL (USD $) |
| 0,00 kg-1.00 kg | 30,00 dollaria - USD 60,00 dollaria |
| 1,00 kg-2,00 kg | USD 40,00 dollaria - 80,00 dollaria USD |
| 2,00 kg-3,00 kg | USD 50,00 dollaria - USD 100,00 dollaria |
Haluatko paremman hinnan? Lisää CART ja lähettämään RFQ nyt, otamme sinuun heti yhteyttä.