Tietotarvikkeet
FDG6302P.pdfFDG6302P -teknologiavaatimukset
onsemi - FDG6302P Tekniset eritelmät, ominaisuudet, parametrit ja osat, joilla on samanlaiset eritelmät kuin onsemi - FDG6302P
| Tuoteominaisuus | Attribuuttiarvo | |
|---|---|---|
| Valmistaja | onsemi | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| teknologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Toimittaja Device Package | SC-88 (SC-70-6) | |
| Sarja | - | |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 140mA, 4.5V | |
| Virta - Max | 300mW | |
| Pakkaus / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| Paketti | Tape & Reel (TR) |
| Tuoteominaisuus | Attribuuttiarvo | |
|---|---|---|
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Asennustyyppi | Surface Mount | |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 12pF @ 10V | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.31nC @ 4.5V | |
| FET Ominaisuus | Logic Level Gate | |
| Valua lähde jännite (Vdss) | 25V | |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 140mA | |
| kokoonpano | 2 P-Channel (Dual) | |
| Perustuotteenumero | FDG6302 |
| MääRITE | KUVAUS |
|---|---|
| Kosteuden herkkyystaso (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Saavuttaa tila | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
Kolmella oikealla olevalla osalla on samanlaiset eritelmät kuin onsemi FDG6302P.
| Tuoteominaisuus |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| Osa numero | FDG6302P | FDG6301N-F085P | FDG6301N_D87Z | FDG6303N-F169 |
| Valmistaja | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| kokoonpano | - | - | - | S/H-ADC |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | - | - | - | - |
| Pakkaus / Case | - | 196-LFBGA | 16-DIP (0.300', 7.62mm) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Käyttölämpötila | - | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C | -40°C ~ 85°C |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - | - | - | - |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | - | - | - | - |
| Valua lähde jännite (Vdss) | - | - | - | - |
| Toimittaja Device Package | - | 196-NFBGA (12x12) | 16-PDIP | 64-VQFN (9x9) |
| Paketti | - | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| teknologia | - | - | - | - |
| Virta - Max | - | - | - | - |
| Sarja | - | - | - | - |
| Perustuotteenumero | - | DAC34H84 | MAX500 | ADS62P42 |
| FET Ominaisuus | - | - | - | - |
| RDS (Max) @ Id, Vgs | - | - | - | - |
| Asennustyyppi | - | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - | - | - | - |
Lataa FDG6302P PDF -lehdet ja onsemi -dokumentaatio FDG6302P - onsemi: lle.
FDG6302PFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFETFDG6301N_D87ZonsemiMOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6FDG6301GFairchild (onsemi)FDG6302P-NLFairchild (onsemi)FDG6303N-F169onsemiMOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
FDG6301NonsemiMOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6FDG6301N-NLFairchild (onsemi)FDG6302P MOSFairchild (onsemi)FDG6301N MOSFairchild (onsemi)FDG6303N-NLFairchild (onsemi)FDG6303N_GonsemiINTEGRATED CIRCUITFDG6303NDKR-NDFairchild (onsemi)FDG6303NonsemiMOSFET 2N-CH 25V 500MA SC88FDG6303N_D87ZonsemiMOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6FDG6301N-F085onsemiMOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6FDG6301N-F085PonsemiDUAL NMOS SC70-6 25V 4OHMFDG6303N MOSFairchild (onsemi)
FDG6301N_F085AMI Semiconductor/onsemiSähköpostiosoitettasi ei julkaista.
| Yleismaiden logistisen ajan viite | ||
|---|---|---|
| Alue | Maa | Logistinen aika (päivä) |
| Amerikka | Yhdysvallat | 5 |
| Brasilia | 7 | |
| Eurooppa | Saksa | 5 |
| Yhdistynyt kuningaskunta | 4 | |
| Italia | 5 | |
| Oseania | Australia | 6 |
| Uusi -Seelanti | 5 | |
| Aasia | Intia | 4 |
| Japani | 4 | |
| Lähi -itä | Israel | 6 |
| DHL & FedEx -lähetysmaksut Viite | |
|---|---|
| Lähetysmaksut (kg) | Viite DHL (USD $) |
| 0,00 kg-1.00 kg | 30,00 dollaria - USD 60,00 dollaria |
| 1,00 kg-2,00 kg | USD 40,00 dollaria - 80,00 dollaria USD |
| 2,00 kg-3,00 kg | USD 50,00 dollaria - USD 100,00 dollaria |
Haluatko paremman hinnan? Lisää CART ja lähettämään RFQ nyt, otamme sinuun heti yhteyttä.